Dayson 丹成鎵科技
HVPE法製備β-Ga2O3外延
氧化鎵（Ga2O3）是第四代半導體材料，具有超寬能隙 和高臨界擊穿電場強度等優(yōu)異特性。然而，由於對完整性、平整度、均勻性等有嚴格的質(zhì)量要求，在氧化鎵基底上製造外延片面臨著製備工藝的挑戰(zhàn)。通過採用氫化物氣相磊晶法（HVPE） ，對外延生長設備的自主改造和氣源比例的精確控制，我們成功實現(xiàn)了高質(zhì)量外延片的生長。這一成就朝著實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和利用氧化鎵作為半導體行業(yè)關鍵材料的巨大潛力，邁出了重要的一步。
隊伍成員
李丹先生*（香港城市大學材料科學及工程學系博士生）
徐大成先生（昆明理工大學）
周小敏小姐（香港城市大學生物醫(yī)學系博士生）
* 項目負責人
（資料以隊伍遞交報名時為準）
成就
- 香港城市大學HK Tech 300種子基金（2023）