Dayson 丹成鎵科技
HVPE法制備β-Ga2O3外延
氧化鎵（Ga2O3）是第四代半導體材料，具有超寬能隙 和高臨界擊穿電場強度等優異特性。然而，由于對完整性、平整度、均勻性等有嚴格的質量要求，在氧化鎵基底上制造外延片面臨著制備工藝的挑戰。通過采用氫化物氣相磊晶法（HVPE） ，對外延生長設備的自主改造和氣源比例的精確控制，我們成功實現了高質量外延片的生長。這一成就朝著實現大規模生產和利用氧化鎵作為半導體行業關鍵材料的巨大潛力，邁出了重要的一步。
隊伍成員
李丹先生*（香港城市大學材料科學及工程學系博士生）
徐大成先生（昆明理工大學）
周小敏小姐（香港城市大學生物醫學系博士生）
* 項目負責人
（資料以隊伍遞交報名時為準）
成就
- 香港城市大學HK Tech 300種子基金（2023）